ໃຊ້ໄດ້ກັບ Passat fuel common rail pressure sensor 06E906051K

1. ວິທີການປະກອບເປັນເຊັນເຊີຄວາມກົດດັນ, ປະກອບດ້ວຍ:

ການສະຫນອງຊັ້ນຍ່ອຍຂອງ semiconductor, ໃນນັ້ນຊັ້ນ dielectric interlayer ທໍາອິດ, ຊັ້ນ dielectric interlayer ທໍາອິດແລະຊັ້ນ dielectric interlayer ທີສອງແມ່ນສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນໃນ substrate semiconductor.

ແຜ່ນ electrode ຕ່ໍາໃນຊັ້ນ dielectric interlayer ທໍາອິດ, ເປັນ electrode ເຊິ່ງກັນແລະກັນທໍາອິດທີ່ຕັ້ງຢູ່ໃນຊັ້ນດຽວກັນກັບແຜ່ນ electrode ຕ່ໍາແລະໄລຍະຫ່າງຫ່າງ.

ເຊື່ອມຕໍ່ຊັ້ນ;

ການສ້າງຊັ້ນເຄື່ອງບູຊາຂ້າງເທິງແຜ່ນຂົ້ວໂລກຕ່ໍາ;

ກອບເປັນຈໍານວນແຜ່ນ electrode ເທິງສຸດ interlayer dielectric layer ທໍາອິດ, ຊັ້ນ interconnection ທໍາອິດແລະຊັ້ນການເສຍສະລະ;

ຫຼັງຈາກການສ້າງຊັ້ນເຄື່ອງບູຊາແລະກ່ອນທີ່ຈະປະກອບເປັນແຜ່ນເທິງ, ໃນຊັ້ນເຊື່ອມຕໍ່ກັນທໍາອິດ

ປະກອບເປັນຮ່ອງເຊື່ອມຕໍ່, ແລະການຕື່ມຂໍ້ມູນໃສ່ຮ່ອງການເຊື່ອມຕໍ່ກັບແຜ່ນເທິງເພື່ອເຊື່ອມຕໍ່ໄຟຟ້າກັບຊັ້ນເຊື່ອມຕໍ່ກັນທໍາອິດ;ຫຼື,

ຫຼັງຈາກການສ້າງແຜ່ນ electrode ເທິງ, ຮ່ອງເຊື່ອມຕໍ່ໄດ້ຖືກສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນໃນແຜ່ນ electrode ເທິງແລະຊັ້ນເຊື່ອມຕໍ່ກັນທໍາອິດ, ເຊິ່ງ.

ປະກອບເປັນຊັ້ນ conductive ເຊື່ອມຕໍ່ແຜ່ນ electrode ເທິງແລະຊັ້ນ interconnection ທໍາອິດໃນຮ່ອງເຊື່ອມຕໍ່;

ຫຼັງຈາກເຊື່ອມຕໍ່ໄຟຟ້າກັບແຜ່ນເທິງແລະຊັ້ນເຊື່ອມຕໍ່ກັນທໍາອິດ, ເອົາຊັ້ນການເສຍສະລະອອກເພື່ອສ້າງເປັນຮູ.

2. ວິທີການປະກອບເປັນເຊັນເຊີຄວາມກົດດັນຕາມຂໍ້ອ້າງ 1, wherein ໃນຊັ້ນທໍາອິດ

ວິທີການສ້າງຊັ້ນເສຍສະລະໃນຊັ້ນ dielectric interlayer ປະກອບດ້ວຍຂັ້ນຕອນດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້:

ການຝາກຊັ້ນອຸປະກອນການເສຍສະລະໃສ່ຊັ້ນ dielectric interlayer ທໍາອິດ;

ການຈັດຮູບແບບຊັ້ນວັດສະດຸເຄື່ອງບູຊາເພື່ອສ້າງເປັນຊັ້ນເຄື່ອງບູຊາ.

3. ວິທີການປະກອບເປັນເຊັນເຊີຄວາມກົດດັນຕາມຂໍ້ອ້າງ 2, wherein photolithography ແລະ engraving ໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້.

ຊັ້ນອຸປະກອນການເສຍສະລະແມ່ນຮູບແບບໂດຍຂະບວນການ etching.

4. ວິທີການປະກອບເປັນເຊັນເຊີຄວາມກົດດັນຕາມຂໍ້ອ້າງ 3, wherein ຊັ້ນເຄື່ອງບູຊາ

ວັດສະດຸແມ່ນຄາບອນ amorphous ຫຼື germanium.

5. ວິທີການປະກອບເປັນເຊັນເຊີຄວາມກົດດັນຕາມຂໍ້ອ້າງ 4, wherein ຊັ້ນເຄື່ອງບູຊາ

ວັດສະດຸແມ່ນຄາບອນ amorphous;

ທາດອາຍຜິດ etching ທີ່ໃຊ້ໃນຂະບວນການ etching ຊັ້ນອຸປະກອນການເສຍສະລະປະກອບມີ O2, CO, N2 ແລະ Ar;

ຕົວກໍານົດການໃນຂະບວນການ etching ຊັ້ນອຸປະກອນການເສຍສະລະແມ່ນ: ລະດັບການໄຫຼຂອງ O2 ແມ່ນ 18 SCCM ~ 22 SCCM, ແລະອັດຕາການໄຫຼຂອງ CO ແມ່ນ 10%.

ອັດຕາການໄຫຼຕັ້ງແຕ່ 90 SCCM ຫາ 110 SCCM, ອັດຕາການໄຫຼຂອງ N2 ຕັ້ງແຕ່ 90 SCCM ຫາ 110 SCCM, ແລະອັດຕາການໄຫຼຂອງ Ar.

ຊ່ວງແມ່ນ 90 SCCM ~ 110 SCCM, ລະດັບຄວາມກົດດັນແມ່ນ 90 mtor ~ 110 mtor, ແລະພະລັງງານ bias ແມ່ນ.

540w ຫາ 660w.