ເຊັນເຊີຄວາມກົດດັນ semiconductor ທີ່ໃຊ້ທົ່ວໄປໃຊ້ N-type silicon wafer ເປັນ substrate. ກ່ອນອື່ນ ໝົດ, ຊິລິໂຄນ wafer ໄດ້ຖືກສ້າງຂື້ນເປັນສ່ວນທີ່ທົນທານຕໍ່ຄວາມກົດດັນທີ່ມີເລຂາຄະນິດທີ່ແນ່ນອນ. ໃນສ່ວນທີ່ຮັບຜິດຊອບຄວາມກົດດັນຂອງຊິລິໂຄນ wafer, ສີ່ຕົວຕ້ານການແຜ່ກະຈາຍ P-type ແມ່ນເຮັດຕາມທິດທາງທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນຂົວ Wheatstone ສີ່ແຂນຖືກສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນດ້ວຍຕົວຕ້ານທານສີ່ຢ່າງນີ້. ພາຍໃຕ້ການປະຕິບັດຂອງຜົນບັງຄັບໃຊ້ພາຍນອກ, ການປ່ຽນແປງຂອງຄ່າຕໍ່ຕ້ານກາຍເປັນສັນຍານໄຟຟ້າ. ຂົວ wheatstone ນີ້ມີຜົນກະທົບຄວາມກົດດັນແມ່ນຫົວໃຈຂອງເຊັນເຊີຄວາມກົດດັນ, ເຊິ່ງປົກກະຕິແລ້ວເອີ້ນວ່າຂົວ piezoresistive (ດັ່ງທີ່ສະແດງຢູ່ໃນຮູບ 1). ຄຸນລັກສະນະຂອງຂົວ piezoresistive ມີດັ່ງນີ້: ①ຄ່າຄວາມຕ້ານທານຂອງສີ່ແຂນຂອງຂົວແມ່ນເທົ່າທຽມກັນ (ທັງຫມົດ r0); ② ຜົນກະທົບ piezoresistive ຂອງແຂນທີ່ຢູ່ຕິດກັນຂອງຂົວແມ່ນເທົ່າທຽມກັນໃນມູນຄ່າແລະກົງກັນຂ້າມໃນເຄື່ອງຫມາຍ; ③ ຕົວຄູນອຸນຫະພູມຄວາມຕ້ານທານຂອງສີ່ແຂນຂອງຂົວແມ່ນຄືກັນ, ແລະພວກເຂົາສະເຫມີຢູ່ໃນອຸນຫະພູມດຽວກັນ. ໃນຮູບ. 1, R0 ແມ່ນມູນຄ່າການຕໍ່ຕ້ານໂດຍບໍ່ມີຄວາມກົດດັນໃນອຸນຫະພູມຫ້ອງ; RT ແມ່ນການປ່ຽນແປງທີ່ເກີດຈາກຄ່າສໍາປະສິດອຸນຫະພູມຂອງການຕໍ່ຕ້ານ (α) ເມື່ອອຸນຫະພູມປ່ຽນແປງ; Υ Rδ ແມ່ນການປ່ຽນແປງຂອງການຕໍ່ຕ້ານທີ່ເກີດຈາກ strain (ε); ແຮງດັນຜົນຜະລິດຂອງຂົວແມ່ນ u = I0 Δ Rδ = I0RGδ (ຂົວແຫຼ່ງໃນປະຈຸບັນຄົງທີ່).

ບ່ອນທີ່ I0 ແມ່ນແຫຼ່ງປະຈຸບັນຄົງທີ່ແລະ e ແມ່ນແຮງດັນຂອງແຫຼ່ງແຮງດັນຄົງທີ່. ແຮງດັນຜົນຜະລິດຂອງຂົວ piezoresistive ແມ່ນອັດຕາສ່ວນໂດຍກົງກັບສາຍພັນ (ε) ແລະບໍ່ມີຫຍັງກ່ຽວຂ້ອງກັບ RT ທີ່ເກີດຈາກຄ່າສໍາປະສິດອຸນຫະພູມຂອງການຕໍ່ຕ້ານ, ເຊິ່ງຫຼຸດລົງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ drift ອຸນຫະພູມຂອງເຊັນເຊີ. ເຊັນເຊີຄວາມດັນ semiconductor ທີ່ໃຊ້ກັນຢ່າງກວ້າງຂວາງທີ່ສຸດແມ່ນເຊັນເຊີສໍາລັບການກວດສອບຄວາມກົດດັນຂອງນ້ໍາ. ໂຄງສ້າງຕົ້ນຕໍຂອງມັນແມ່ນແຄບຊູນທີ່ເຮັດດ້ວຍຊິລິໂຄນ monocrystalline (ດັ່ງທີ່ສະແດງຢູ່ໃນຮູບ 2). ຝາອັດປາກມົດລູກເຮັດເປັນຖ້ວຍ, ແລະດ້ານລຸ່ມຂອງຈອກແມ່ນສ່ວນທີ່ຮັບແຮງຈາກພາຍນອກ, ແລະຂົວແຮງດັນແມ່ນເຮັດຢູ່ດ້ານລຸ່ມຂອງຖ້ວຍ. pedestal ວົງແມ່ນເຮັດດ້ວຍອຸປະກອນການໄປເຊຍກັນ silicon ດຽວກັນ, ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນ diaphragm ແມ່ນ bonded ກັບ pedestal ໄດ້. ປະເພດຂອງເຊັນເຊີຄວາມກົດດັນນີ້ມີຄວາມໄດ້ປຽບຂອງຄວາມອ່ອນໄຫວສູງ, ປະລິມານຂະຫນາດນ້ອຍແລະຄວາມແຂງ, ແລະໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນການບິນ, ການນໍາທາງອາວະກາດ, ເຄື່ອງມືອັດຕະໂນມັດແລະເຄື່ອງມືທາງການແພດ.