ເຊັນເຊີຄວາມກົດດັນທີ່ໃຊ້ທົ່ວໄປທົ່ວໄປໃຊ້ຊິລິໂຄນ N-Type Silicon Wafer ເປັນ substrate. ກ່ອນອື່ນຫມົດ, ຊິລິໂຄນ Wafer ແມ່ນຜະລິດເຂົ້າໄປໃນສ່ວນທີ່ມີຄວາມກົດດັນທີ່ມີຄວາມກົດດັນທີ່ມີທ່າອຽງທີ່ແນ່ນອນ. ໃນສ່ວນທີ່ມີຄວາມກົດດັນຂອງ Silicon Wafer, 4 an-type actsors p-type diffusor ແມ່ນເຮັດຕາມທິດທາງໄປເຊຍກັນ, ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນຂົວສີ່ແຂນແມ່ນຖືກສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນກັບຜູ້ຟື້ນຟູ 4 ຄົນ. ພາຍໃຕ້ການກະທໍາຂອງກໍາລັງພາຍນອກ, ການປ່ຽນແປງຂອງມູນຄ່າການຕໍ່ຕ້ານກາຍເປັນສັນຍານໄຟຟ້າ. ຂົວ Wheatsone ນີ້ມີຜົນກະທົບດ້ານຄວາມກົດດັນແມ່ນຫົວໃຈຂອງເຊັນເຊີຄວາມກົດດັນ, ເຊິ່ງປົກກະຕິແລ້ວແມ່ນເອີ້ນວ່າຂົວ piezoresistive (ດັ່ງທີ່ສະແດງໃນຮູບ 1). ຄຸນລັກສະນະຂອງຂົວ piezoresistive ແມ່ນມີດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້: ①ຄຸນຄ່າຄວາມຕ້ານທານຂອງສີ່ແຂນຂອງຂົວແມ່ນເທົ່າກັນ (ທັງຫມົດ R0); indus ຜົນກະທົບ piezoresistive ຂອງແຂນຕິດກັບຂົວແມ່ນເທົ່າກັບມູນຄ່າແລະກົງກັນຂ້າມໃນສັນຍາລັກ; code ຕົວຄູນອຸນຫະພູມຕ້ານທານກັບສີ່ສ່ວນຂອງຂົວແມ່ນຄືກັນ, ແລະພວກມັນຢູ່ໃນອຸນຫະພູມດຽວກັນສະເຫມີ. ໃນຮູບ. 1, R0 ແມ່ນມູນຄ່າຄວາມຕ້ານທານໂດຍບໍ່ມີຄວາມກົດດັນໃນອຸນຫະພູມຫ້ອງ; RT ແມ່ນການປ່ຽນແປງທີ່ເກີດຈາກອຸນຫະພູມທີ່ເປັນຕົວເລືອກຂອງຄວາມຕ້ານທານ (α) ເມື່ອອຸນຫະພູມປ່ຽນແປງ; υrδແມ່ນການປ່ຽນແປງຂອງການຕໍ່ຕ້ານທີ່ເກີດຈາກສາຍພັນ (ε); ແຮງດັນໄຟຟ້າຂອງຂົວແມ່ນ U = I0 δ R. = ຂົວທີ່ຢູ່ໃນ I0RGQ).

ບ່ອນທີ່ i0 ແມ່ນສະຖານະການທີ່ຢູ່ສະເຫມີໃນປະຈຸບັນແລະ E ແມ່ນແຮງດັນແຫຼ່ງຂໍ້ມູນແຮງດັນທີ່ຄົງທີ່. ແຮງດັນຜົນຜະລິດຂອງຂົວ piezoresistive ແມ່ນອັດຕາສ່ວນໂດຍກົງ (ε) ແລະບໍ່ມີຫຍັງກ່ຽວຂ້ອງກັບອຸນຫະພູມໃນການຕ້ານທານກັບອຸນຫະພູມຂອງແກັບ. ເຊັນເຊີຄວາມກົດດັນທີ່ໃຊ້ຫຼາຍທີ່ສຸດແມ່ນເຊັນເຊີສໍາລັບກວດພົບຄວາມກົດດັນຂອງຄວາມກົດດັນ. ໂຄງສ້າງຕົ້ນຕໍຂອງມັນແມ່ນແຄບຊູນທີ່ເຮັດດ້ວຍຊິລິໂຄນ monocrystalline (ດັ່ງທີ່ສະແດງໃນຮູບ 2). ຝາອັດປາກມົດລູກແມ່ນຜະລິດເປັນຖ້ວຍ, ແລະສ່ວນລຸ່ມຂອງຖ້ວຍແມ່ນສ່ວນຫນຶ່ງທີ່ເປັນສ່ວນຫນຶ່ງຂອງກໍາລັງພາຍນອກ, ແລະຂົວຄວາມກົດດັນແມ່ນເຮັດຢູ່ດ້ານລຸ່ມຂອງຖ້ວຍ. pedestal pedestal ແມ່ນເຮັດດ້ວຍວັດສະດຸ Silicon SilcoLice Silate Crystal, ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນ diaphragm ແມ່ນຜູກພັນກັບ pedestal. ເຄື່ອງຫມາຍຄວາມດັນແບບນີ້ມີຂໍ້ດີສູງ, ປະລິມານທີ່ມີຄວາມອ່ອນໄຫວສູງ, ປະລິມານແລະຄວາມແຂງແກ່ນ, ແລະໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງ, ເຄື່ອງມືທີ່ນໍາທາງ, ເຄື່ອງມືທາງການແພດ.